Probablemente no sea necesario introducir la memoria HBM en sí. Una solución rápida y de baja latencia que se beneficia de una interfaz IO muy amplia basada directamente en silicio, sin la necesidad de una interfaz adicional con la carcasa, una interfaz adicional con la PCB, conexiones de PCB, una interfaz adicional entre la PCB y la CPU / GPU. Esto no solo confiere a HBM una alta capacidad de transmisión de datos, sino que también reduce los requisitos energéticos de estas transmisiones. Que se reducen aún más por los bajos trazos físicos de la memoria HBM.
Sin embargo, Samsung tuvo la impresión (en principio justificada) de que se puede ahorrar aún más tiempo (latencia) y energía, si los datos no tienen que moverse de los módulos HBM (al procesador) en absoluto. Desarrolló memorias llamadas HBM-PIM (= Processing In Memory), que integran un circuito de aceleración de inteligencia artificial (IA). Algunos cálculos se pueden realizar directamente a nivel de memoria.
Con las memorias “Aquabolt” HBM2, es decir, efectivamente 2.4GHz HBM2, que Samsung equipó con un acelerador (en un sistema de prueba y prueba no especificado), se logró un rendimiento más de 2 veces mayor en comparación con el clásico 2.4GHz HBM2. Al mismo tiempo, el consumo se redujo en un 70%. La compañía quiere publicar detalles en la Conferencia Virtual Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) la próxima semana.
Las memorias utilizan la interfaz de hardware existente y el protocolo de comunicación, según Samsung no requieren ningún cambio por parte del sistema. Sin embargo, todavía no sabemos nada sobre las especificaciones del acelerador de IA integrado. HBM-PIM planea probar el Laboratorio Nacional Argonne y Samsung espera que su validación se complete a fines de este año.
En este contexto, sin embargo, no moderará ni un poco el entusiasmo. Las razones explican algunos titulares citados cuando Samsung acelera el lanzamiento del HBM3 a partir de enero de 2018 o Samsung lanzó el HBM2E de 3.2-4.2GHz a partir de febrero de 2020.
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